1. トップ・製品情報
  2. モジュール式薄膜堆積システム
  3. スパッタソース

スパッタソース Fission

テクニック

スパッタデポジションは薄膜堆積のために広く使われているテクニックです。負バイアスされた'ターゲット'の上方でプラズマを点火することにより、イオンがプラズマから引き出され、ターゲットに向かって加速されます。アルゴンイオンが衝突することにより、ターゲット表面から原子または分子がはじき出されます。このプロセスをスパッタリングと言います。スパッタされた材料は蒸気となり、基板上で再凝結して薄膜を形成します。

Fission:スパッタソース

スパッタソースFissionシリーズは、HEXシステム内で急速かつコンタミネーションフリーで金属膜や誘電体膜を堆積することが可能です。冷却水接続およびガス接続はクイックリリースコネクターを採用しており、ソースをチャンバーから取り外すたびに、工具を探したり、冷却水を排出する手間がかかりません。ソースの取り付けもシンプルな構造になっており、何も工具を必要としません。

Fissionソースは導電体材料の場合はDCモードで、絶縁体材料の場合はRFモードで動作させることが可能です。ガス導入はガスフードを介して行われるため、ターゲット表面近傍での圧力を高くすることで、成膜中のチャンバー圧力を低く抑えることが可能です。ソースにはマニュアルシャッターの他にPC自動制御オプションから制御可能なオートシャッターも用意されています。

スパッタガスと一緒に追加ガスを流すか、個別のガスラインからチャンバー内に追加ガスを流すことで反応性スパッタを行うことができます。

オプションの強磁場マグネットを使用することで、厚さ3mmまでの磁性体材料ターゲットをスパッタすることができます。

Fissionソースは金属、絶縁体および半導体をスパッタすることができます。1つのHEXシステムに複数のFissionソースを取り付けることで、多層膜や化合物材料膜を成長することが可能です。

仕様

Fission
ターゲット直径 2インチ(50mm)
最大ターゲット厚さ 6mm(磁性体は強磁場マグネットを使用して3mmまで)
DC電源 720W(600V, 1.2A)
RF電源 300W(13.56MHz)
ガス供給 一体型(ガスフード経由)
冷却 水冷(0.5L/min)

カタログダウンロード